Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4766175 (literal)

Alternative label

• Swanson LK, Fiorenza P, Giannazzo F, Frazzetto A, Roccaforte F (2012)
  Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3
  in Applied physics letters (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Swanson LK, Fiorenza P, Giannazzo F, Frazzetto A, Roccaforte F (literal)

Pagina inizio

• 193501-1 (literal)

Pagina fine

• 193501-4 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i19/p193501_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 19 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM) Scuola Superiore di Catania - Universit?a degli Studi di Catania STMicroelectronics, Catania, Italy (literal)

Titolo

• Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (literal)

Abstract

• This letter reports on the electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces after post-oxidation annealing (POA) in N2O and POCl3. The notably higher channel mobility measured in 4H-SiC MOSFETs subjected to POA in POCl3 was ascribed both to a reduction of the interface traps density and to an increase of donor concentration incorporated in SiC. Scanning spreading resistance microscopy on a SiC surface directly exposed to POA revealed that the incorporation of P-related shallow donors upon POA in POCl3 is more efficient than N-shallow donors incorporation during N2O treatments which subsequently explains the significantly enhanced channel conductivity of the MOSFETs. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3" (Insieme di parole chiave)