Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1557/opl.2012.37 (literal)

Alternative label

• Suriano, F., Ferri, M., Solmi, S., Belsito, L., Roncaglia, A., Romano, E., Narducci, D., Cerofolini, G. (2012)
  Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels
  in 2011 MRS Fall Meeting, Boston (USA)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Suriano, F., Ferri, M., Solmi, S., Belsito, L., Roncaglia, A., Romano, E., Narducci, D., Cerofolini, G. (literal)

Pagina inizio

• 67 (literal)

Pagina fine

• 72 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.37 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• MRS Proceedings (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 1408 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM UOS Bologna Università Milano Bicocca - Dipartimento Scienza dei materiali (literal)

Titolo

• Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels (literal)

Abstract

• An experimental investigation about the thermoelectric properties of heavily doped p ad n-type nanocrystalline silicon nanowires (NWs) is described. The NWs are produced with low cost CMOS compatible processes, highly customizable in terms of cross-section and placement, which enables the fabrication of both stacked NWs in nearly vertical arrays within nanostructured templates built with SiO2/Si3N4 thin films and individual, freestanding NWs suited for thermal conductivity measurements. The cross-section dimensions of the investigated NWs range between 30 and 120 nm in size and up to about 2 cm in length. The structure of the NWs, as shown by SEM/TEM observations, is nanocrystalline with average size of the nanocrystals in one dimension that is comparable with the nanowire diameter. On the NWs, Seebeck coefficient, electrical resistivity and thermal conductivity have been measured, yielding thermoelectric figure of merit (ZT) values of 0.2 at 300 K for the best case. (literal)

Editore

• Cambridge University Press (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (MD.P05.017.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO SURIANO (Unità di personale esterno)
• ALBERTO RONCAGLIA (Persona)
• LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
• MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sintesi e caratterizzazione di materiali nanostrutturati a base di C e Si per applicazioni in sensoristica e nanoelettronica (MD.P05.017.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO SURIANO (Unità di personale esterno)
• LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
• MATTEO FERRI (Unità di personale esterno)
• ALBERTO RONCAGLIA (Persona)

Editore di

• Cambridge University Press (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Thermoelectric properties of p and n-type nanocrystalline silicon nanowires with high doping levels" (Insieme di parole chiave)