Surface doping in T6/PDI-8CN2 heterostructures investigated by transport and photoemission measurements (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Surface doping in T6/PDI-8CN2 heterostructures investigated by transport and photoemission measurements (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4769345 (literal)

Alternative label

• L. Aversa, R. Verucchi, R. Tatti, F. V. Di Girolamo, M. Barra, F. Ciccullo, A. Cassinese, and S. Iannotta (2012)
  Surface doping in T6/PDI-8CN2 heterostructures investigated by transport and photoemission measurements
  in Applied physics letters; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L. Aversa, R. Verucchi, R. Tatti, F. V. Di Girolamo, M. Barra, F. Ciccullo, A. Cassinese, and S. Iannotta (literal)

Pagina inizio

• 233504-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i23/p233504_s1?isAuthorized=no (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 23 (literal)

Note

• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo, IMEM-CNR, sezione FBK di Trento, Via alla Cascata 56/C-Povo, 38123 Trento, Italy; 2 CNR-SPIN and Department of Physics Science, University of Naples \"Federico II\", P.le Tecchio 80, 80125 Naples, Italy; 3 Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo, IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Surface doping in T6/PDI-8CN2 heterostructures investigated by transport and photoemission measurements (literal)

Abstract

• In this paper, we discuss the surface doping in sexithiophene (T6) organic field-effect transistors by N,N?-bis (n-octyl)-dicyanoperylenediimide (PDI-8CN2). We show that an accumulation heterojunction is formed at the interface between the organic semiconductors and that the consequent band bending in T6 caused by PDI-8CN2 deposition can be addressed as the cause of the surface doping in T6 transistors. Several evidences of this phenomenon have been furnished both by electrical transport and photoemission measurements, namely, the increase in the conductivity, the shift of the threshold voltage, and the shift of the T6 highest occupied molecular orbital peak towards higher binding energies. (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Metodologie innovative per lo studio ed il controllo delle proprietà (opto)elettroniche di materiali e dispositivi multifunzionali (MD.P04.026.003) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTO VERUCCHI (Unità di personale interno)
• LUCREZIA AVERSA (Persona)
• ROBERTA TATTI (Persona)
• ANTONIO CASSINESE (Persona)
• SALVATORE IANNOTTA (Unità di personale interno)
• MARIO BARRA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Surface doping in T6/PDI-8CN2 heterostructures investigated by transport and photoemission measurements" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• SALVATORE IANNOTTA (Unità di personale interno)
• ANTONIO CASSINESE (Persona)
• ROBERTO VERUCCHI (Unità di personale interno)
• ROBERTA TATTI (Persona)
• LUCREZIA AVERSA (Persona)
• MARIO BARRA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Crescita di materiali, funzionalizzazioni e dispositivi da precursori molecolari, inorganici e cluster (MD.P06.037.001) (Modulo)
• Metodologie innovative per lo studio ed il controllo delle proprietà (opto)elettroniche di materiali e dispositivi multifunzionali (MD.P04.026.003) (Modulo)

Editore di

• American Institute of Physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Surface doping in T6/PDI-8CN2 heterostructures investigated by transport and photoemission measurements" (Insieme di parole chiave)