Side-dependent electron escape from graphene- and graphane-like SiC layers (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Side-dependent electron escape from graphene- and graphane-like SiC layers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3679175 (literal)

Alternative label

• Paola Gori, Olivia Pulci, Margherita Marsili, Friedhelm Bechstedt (2012)
  Side-dependent electron escape from graphene- and graphane-like SiC layers
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Paola Gori, Olivia Pulci, Margherita Marsili, Friedhelm Bechstedt (literal)

Pagina inizio

• 043110 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• ETSF, CNR-ISM, via Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy ETSF, CNR-ISM, NAST, MIFP, Dipartimento di Fisica, Università di Roma \"Tor Vergata,\" Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Rome, Italy IFTO, Friedrich-Schiller-Universität and ETSF, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany (literal)

Titolo

• Side-dependent electron escape from graphene- and graphane-like SiC layers (literal)

Abstract

• The structural and electronic properties of SiC-based two-dimensional (2D) crystals are studied by means of density functional theory and many-body perturbation theory. Such properties cannot simply be interpolated between graphene and silicene. The replacement of half of the C atoms by Si atoms opens a large direct electronic gap and destroys the Dirac cones. Hydrogenation further opens the gap and significantly reduces the electron affinity to 0.1 or 1.8 eV in dependence on the carbon or silicon termination of the 2D crystal surface, thus showing a unique direction dependent ionization potential. This suggests the use of 2D-SiC:H as electron or hole filter. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)

Autore CNR

• OLIVIA PULCI (Unità di personale esterno)
• PAOLA GORI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• PAOLA GORI (Unità di personale interno)
• OLIVIA PULCI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

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• Applied physics letters (Rivista)