Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Zenkevich, A; Lebedinskii, Y; Scarel, G; Fanciulli, M; Baturin, A; Lubovin, N (2007)
  Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM
  in Microelectronics and reliability
  (literal)

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• Zenkevich, A; Lebedinskii, Y; Scarel, G; Fanciulli, M; Baturin, A; Lubovin, N (literal)

Pagina inizio

• 657 (literal)

Pagina fine

• 659 (literal)

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• 47 (literal)

Rivista

• Microelectronics and reliability (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Moscow MV Lomonosov State Univ, Moscow Engn Phys Inst, Moscow 115409, Russia; CNR, INFM, Nat Lab, I-20041 Agrate Brianza, Italy; Moscow MV Lomonosov State Univ, Moscow Inst Phys & Technol, Moscow 141700, Russia (literal)

Titolo

• Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM (literal)

Abstract

• The evolution of HfO2(3-5 nm)/SiO2(0.5 nm)/Si(1 00) stacks during vacuum annealing was monitored in situ with the combination of X-ray photoelectron spectroscopy and low energy ion scattering techniques and supplemented with atomic force microscopy analysis to investigate the mechanism that triggers HfO2 degradation with Hf silicide formation. The reduction of SiO2 interfacial layer and the formation of local paths for SiO escape into vacuum are believed to be critical at vacuum annealing above T> 850 degrees C for the reaction between HfO2, and Si to start and eventually lead to the degradation of the former. (C) 2007 Elsevier Ltd. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

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• Microelectronics and reliability (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(100) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM" (Insieme di parole chiave)