Atomic layer deposition of magnetic thin films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Atomic layer deposition of magnetic thin films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Mantovan, R; Georcieva, M; Perego, M; Lu, HL; Zenkevich, A; Scarel, G; Fanciulli, M (2007)
  Atomic layer deposition of magnetic thin films
  in Acta Physica Polonica. A
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mantovan, R; Georcieva, M; Perego, M; Lu, HL; Zenkevich, A; Scarel, G; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 1271 (literal)

Pagina fine

• 1280 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 112 (literal)

Rivista

• Acta Physica Polonica. A (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• MDM CNR INFM, Lab Nazl, I-20041 Agrate Brianza, Italy; Moscow Engn Phys Inst, Moscow 115409, Russia (literal)

Titolo

• Atomic layer deposition of magnetic thin films (literal)

Abstract

• We report on the research effort towards the development of processes for the realization of magnetic tunnel junctions by atomic layer deposition. Our strategy follows two main schemes. The first is a hybrid process where the ferromagnetic layers are produced by chemical vapour deposition and the tunnel oxide is deposited by atomic layer deposition. As ferromagnetic electrodes we use Co and Fe3O4, while MgO, Al2O3, and HfO2 are employed as tunnel oxides. The second and most intriguing scheme is a full-oxide approach in which the ferromagnetic layers and the tunnel barrier layer are all oxides grown by atomic layer deposition. As ferromagnetic layers we focused on the growth of complex manganites (La0.7Sr0.3MnO3) while as a tunnel oxide we propose La2O3. Film composition has been studied with time of flight secondary ion mass spectroscopy and Rutherford backscattering spectrometry. X-ray diffraction, X-ray reflectivity, and Fourier transform infrared spectroscopy have been used. to investigate the structure and morphology of the layers. The magnetic properties of the films are measured by superconducting quantum interference device magnetometer. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• HONG LIANG LU (Unità di personale esterno)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale esterno)
• MICHELE PEREGO (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Atomic layer deposition of magnetic thin films" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Persona)
• ROBERTO MANTOVAN (Unità di personale esterno)
• HONG LIANG LU (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Acta Physica Polonica. A (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Atomic layer deposition of magnetic thin films" (Insieme di parole chiave)