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Scaling behavior of GaAs and GaMnAs quantum rings grown by droplet epitaxy (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Scaling behavior of GaAs and GaMnAs quantum rings grown by droplet epitaxy (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1063/1.4756896 (literal)
- Alternative label
E Placidi, F Arciprete, A Balzarotti, F Patella (2012)
Scaling behavior of GaAs and GaMnAs quantum rings grown by droplet epitaxy
in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- E Placidi, F Arciprete, A Balzarotti, F Patella (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Rivista
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Google Scholar (literal)
- Scopu (literal)
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- ISM-CNR
Università di Roma \"Tor Vergata\" Dip. Fisica (literal)
- Titolo
- Scaling behavior of GaAs and GaMnAs quantum rings grown by droplet epitaxy (literal)
- Abstract
- The transition from the liquid phase of Ga droplets to the formation of GaAs and GaMnAs quantum rings has been studied as a function of temperature. We show that different aggregation processes involve the GaAs (GaMnAs) island and the droplet formation. Furthermore, the aspect ratio of the islands exhibits an anomalous scaling law related to a tendency to aggregate in the vertical direction. (literal)
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