Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Debernardi, A; Wiemer, C; Fanciulli, M (2007)
  Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Debernardi, A; Wiemer, C; Fanciulli, M (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 76 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, INFM, MDM Natl Lab, I-20041 Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics (literal)

Abstract

• We propose a mechanism leading to the local epitaxy observed in HfO2 films grown on Ge(001). Our model is based on state-of-the-art ab initio calculations compared with available experimental data. According to the proposed model, the observed preferential orientation of the monoclinic structure is related to the relaxation of the epitaxially stabilized anatase phase when a critical thickness is reached. In fact, the preferential orientation of the monoclinic structure follows the in-plane axis of the anatase phase, as proven by accurate x-ray scattering data. We predict that the anatase phase, which has no bulk counterpart and has a calculated dielectric constant comparable to the bulk monoclinic one, is almost lattice matched with the Ge(001) substrate. Although the observation of the anatase phase is still missing, its stabilization would allow a control at the atomic level of the HfO2/Ge(001) interface, possibly providing better performances in the next generation complementary-metal-oxide-semiconductor devices. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• ALBERTO DEBERNARDI (Unità di personale interno)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Epitaxial phase of hafnium dioxide for ultrascaled electronics" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• ALBERTO DEBERNARDI (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

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