AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.susc.2012.01.014 (literal)

Alternative label

• Attolini, G. 1; Bosi M. 1; Calicchio, M 1; Martinez, O 2; Hortelano, V 2 (2012)
  AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs
  in Surface science; ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS, AMSTERDAM (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Attolini, G. 1; Bosi M. 1; Calicchio, M 1; Martinez, O 2; Hortelano, V 2 (literal)

Pagina inizio

• 808 (literal)

Pagina fine

• 812 (literal)

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• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0039602812000301# (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 606 (literal)

Rivista

• Surface science (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9-10 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. IMEM CNR Inst, I-43124 Parma, Italy; 2. Dpto. Física de la Materia Condensada, Univ. de Valladolid, Valladolid, Spain (literal)

Titolo

• AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs (literal)

Abstract

• In this communication we report on the growth of Ge heterolayers on (100), (111)Ga and (111)As surfaces of GaAs substrates. Arsenic can play a role as both dopant and surfactant, changing the growth mechanism for the Ge/GaAs growth on (001) oriented substrates. The use of substrates oriented in different directions can change the growth mode and produce different results, since surface polarity can induce different growth modes: we have compared the results on (111) substrates with respect to the non-polar surface case. The growth behavior on (001), (111)Ga and (111)As substrates is discussed. The layer morphology was investigated by Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy has been carried out as a function of the sample thickness. (literal)

Editore

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO CALICCHIO (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)
• MARCO CALICCHIO (Persona)

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• Surface science (Rivista)

Editore di

• ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "AFM morphological characterization and Raman study of germanium grown on (111)GaAs" (Insieme di parole chiave)