Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.897 (literal)

Alternative label

• Bosi M 1; Attolini G 1; Watts BE 1; Roncaglia A 2; Poggi A 2; Mancarella F 2; Moscatelli F 2; Belsito L 2; Ferri M 2 (2012)
  Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si
  in Materials science forum; Trans Tech Publications Ltd., Stafa-Zurich (Swaziland)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bosi M 1; Attolini G 1; Watts BE 1; Roncaglia A 2; Poggi A 2; Mancarella F 2; Moscatelli F 2; Belsito L 2; Ferri M 2 (literal)

Pagina inizio

• 897 (literal)

Pagina fine

• 900 (literal)

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• 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011) Location: Cleveland, OH Date: SEP 11-16, 2011 Sponsor(s): Cree; Keithley Instruments; AIXTRON; Dow Corn Elect Solut; Gen Elect; CuttingEdgeIons com; Off Naval Res; NASA Glenn Res Ctr; Infineon; SemiSouth; Microsemi; OAI (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 717-720 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. IMEM CNR, Parma 2. CNR-IMM, Bologna (literal)

Titolo

• Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si (literal)

Abstract

• We have investigated 3C-SiC layers grown on silicon and on poly-Si in order to realize test MEMS structures. The residual strain of the films was investigated by the fabrication of cantilevers, beams, springs and we successfully fabricated a Double-Ended-Tuning-Fork double clamped SiC resonator on the film, with perfectly aligned actuation electrode. (literal)

Editore

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
• FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)
• MATTEO FERRI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ALBERTO RONCAGLIA (Persona)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• LUCA BELSITO (Unità di personale esterno)
• ALBERTO RONCAGLIA (Persona)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• MATTEO FERRI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)
• FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)

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• Materials science forum (Rivista)

Editore di

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Epitaxial growth, mechanical and electrical properties of SiC/Si and SiC/poly-Si" (Insieme di parole chiave)