Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2802040 (literal)

Alternative label

• Baldovino, S; Spiga, S; Scarel, G; Fanciulli, M (2007)
  Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Baldovino, S; Spiga, S; Scarel, G; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 172905-1 (literal)

Pagina fine

• 172905-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 91 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• INFM, CNR, Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy (literal)

Titolo

• Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition (literal)

Abstract

• The interface between (100) Si and HfO2 grown by atomic layer deposition is strongly influenced by the choice of the oxygen precursor. In particular, the use of oxidants with different oxidizing power such as H2O and O-3 produces interfaces differing both in terms of density of electronic traps and defect microstructure. While H2O produces a Si/SiO2-like interface, characterized by the presence of the P-b0 center, the high reactivity of O-3 induces a modification in the defect wavefunction, as revealed by electrically detected magnetic resonance. Post growth annealing in N-2 at T >= 600 degrees C allows the recovery of a Si/SiO2-like interface. (C) 2007 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• SILVIA BALDOVINO (Persona)
• SABINA SPIGA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• SILVIA BALDOVINO (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Effects of the oxygen precursor on the interface between (100) Si and HfO2 films grown by atomic layer deposition" (Insieme di parole chiave)