[(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• [(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Scarel, G; Wiemer, C; Fanciulli, M; Fedushkin, IL; Fukin, GK; Domrachev, GA; Lebedinskii, Y; Zenkevich, A; Pavia, G (2007)
  [(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films
  in Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950)
  (literal)

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• Scarel, G; Wiemer, C; Fanciulli, M; Fedushkin, IL; Fukin, GK; Domrachev, GA; Lebedinskii, Y; Zenkevich, A; Pavia, G (literal)

Pagina inizio

• 2097 (literal)

Pagina fine

• 2103 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 633 (literal)

Rivista

• Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• INFM, CNR, MDM Natl Lab, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; Russian Acad Sci, GA Razuvaev Inst Organomet Chem, Nizhnii Novgorod, Russia; Moscow Phys Engn Inst, Moscow, Russia; STMicroelct, Agrate Brianza, MI, Italy (literal)

Titolo

• [(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films (literal)

Abstract

• The molecular structure of tris[bis(trimethylsilyl)amido]-lutetium, [(Me3Si)(2)N](3)Lu, is investigated. An agostic interaction is found between Lu and the Si atom of the silyl group. The performance of [(Me3Si)(2)N](3)Lu as precursor to deposit Lu silicate layers by atomic layer deposition using either H2O or O-3 as oxygen source is studied. Si incorporation in the films is revealed: [(Me3Si)(2)N](3)Lu thermal decomposition and the mentioned agostic interaction contribute both to the phenomenon. [(Me3Si)(2)N](3)Lu thermal de-composition also affects the growth rate of films deposited using H2O. The growth rate of films deposited Using O-3, especially at growth temperatures < 300 degrees C, is extremely high, probably because of the hydrogen atoms existing in [(Me3Si)(2)N](3)Lu. (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "[(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

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• Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "[(Me3Si)(2)N](3)Lu: Molecular structure and use as Lu and Si source for atomic layer deposition of Lu silicate films" (Insieme di parole chiave)