Energy states and carrier transport processes in metamorphic InAs quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Energy states and carrier transport processes in metamorphic InAs quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4744981 (literal)

Alternative label

• L Seravalli, G Trevisi, P Frigeri, R J Royce, and D J Mowbray (2012)
  Energy states and carrier transport processes in metamorphic InAs quantum dots
  in Journal of applied physics; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L Seravalli, G Trevisi, P Frigeri, R J Royce, and D J Mowbray (literal)

Pagina inizio

• 034309-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 112 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze, 37/a, 43124 Parma, Italy Department of Physics and Astronomy, University of Sheffield, Hicks Building, Sheffield S3 7RH, United Kingdom (literal)

Titolo

• Energy states and carrier transport processes in metamorphic InAs quantum dots (literal)

Abstract

• Photoluminescence excitation spectroscopy is used to probe energy states and carrier transport in InAs quantum dot structures grown on InGaAs metamorphic layers, designed for room temperature emission at 1.3, 1.4, or 1.5 lm. The dominant spectral feature is shown to arise from the partially relaxed InGaAs confining layer. In structures with a low indium composition or thin InGaAs layer, a clear wetting layer feature is observed which acts as the dominant reservoir for carriers thermally excited from the quantum dots. Structures with high indium composition and/or thick InGaAs lack a wetting layer and carriers escape directly to the Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4744981] (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Energy states and carrier transport processes in metamorphic InAs quantum dots" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

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