Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Ioannou-Sougleridis, V; Dimitrakis, P; Vamvakas, VE; Normand, P; Bonafos, C; Schamm, S; Cherkashin, N; Ben Assayag, G; Perego, M; Fanciulli, M (2007)
  Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation
  in Microelectronic engineering
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ioannou-Sougleridis, V; Dimitrakis, P; Vamvakas, VE; Normand, P; Bonafos, C; Schamm, S; Cherkashin, N; Ben Assayag, G; Perego, M; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 1986 (literal)

Pagina fine

• 1989 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Natl Ctr Sci Res Demokritos, Inst Microelect, GR-15310 Athens, Greece; CNRS, CEMES, F-31055 Toulouse, France; INFM, CNR, MDM, I-20041 Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• Oxide-nitride-oxide memory stacks formed by low-energy Si ion implantation into nitride and wet oxidation (literal)

Abstract

• This work presents an alternative method for the formation of the top oxide in oxide-nitride-oxide structures. The method utilizes low-energy (1 keV) Si ion implantation into thin oxide-nitride stacks, followed by low temperature wet oxidation. Transmission electron microscopy examination clearly indicates the formation of a three-layer structure, verified also by Time-of flight secondary ion mass spectrometry. The electrical characteristics of the oxide-nitride-oxide stacks exhibit strong trapping effects and excellent retention characteristics resulting to a 1.5 V 10-year memory window at 125 degrees C. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronic engineering (Rivista)