Size dependent carrier thermal escape and transfer in bimodally distributed self assembled InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Size dependent carrier thermal escape and transfer in bimodally distributed self assembled InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4729315 (literal)

Alternative label

• G Munoz-Matutano, I Suarez, J Canet-Ferrer, B Alen, D Rivas, L Seravalli, Giovanna Trevisi, P Frigeri, and J Martinez-Pastor (2012)
  Size dependent carrier thermal escape and transfer in bimodally distributed self assembled InAs/GaAs quantum dots
  in Journal of applied physics (online); American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G Munoz-Matutano, I Suarez, J Canet-Ferrer, B Alen, D Rivas, L Seravalli, Giovanna Trevisi, P Frigeri, and J Martinez-Pastor (literal)

Pagina inizio

• 123522-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 111 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 8 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 12 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 ICMUV, Instituto de Ciencia de Materiales, Universidad de Valencia, P.O. Box 2085, 46071 Valencia, Spain 2 IMM, Instituto de Microelectro ?nica de Madrid (CNM, CSIC), Isaac Newton 8, 28760 Tres Cantos, Madrid, Spain 3 Istituto dei Materiali per lElettronica e il Magnetismo (CNR), Parco delle Scienze 37/a, I-43100 Parma, Italy (literal)

Titolo

• Size dependent carrier thermal escape and transfer in bimodally distributed self assembled InAs/GaAs quantum dots (literal)

Abstract

• We have investigated the temperature dependent recombination dynamics in two bimodally distributed InAs self assembled quantum dots samples. A rate equations model has been implemented to investigate the thermally activated carrier escape mechanism which changes from exciton-like to uncorrelated electron and hole pairs as the quantum dot size varies. For the smaller dots, we find a hot exciton thermal escape process. We evaluated the thermal transfer process between quantum dots by the quantum dot density and carrier escape properties of both samples. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Size dependent carrier thermal escape and transfer in bimodally distributed self assembled InAs/GaAs quantum dots" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P06.037.005) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Size dependent carrier thermal escape and transfer in bimodally distributed self assembled InAs/GaAs quantum dots" (Insieme di parole chiave)