Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Zenkevich, A; Lebedinskii, Y; Spiga, S; Wiemer, C; Scarel, G; Fanciulli, M (2007)
  Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si
  in Microelectronic engineering
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Zenkevich, A; Lebedinskii, Y; Spiga, S; Wiemer, C; Scarel, G; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 2263 (literal)

Pagina fine

• 2266 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• State Univ, Moscow Phys Engn Inst, Moscow 115409, Russia; CNR, INFM, MDM, Nat Lab, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy (literal)

Titolo

• Effects of thermal treatments on chemical composition and electrical properties of ultra-thin Lu oxide layers on Si (literal)

Abstract

• The correlation between chemical composition, layered structure evolution, and electrical properties of ultra-thin (2-5 nm) Lu oxide layers grown on chemically oxidized Si(100) and exposed to different thermal treatments was monitored by x-ray photoelectron spectroscopy, x-ray reflectivity and C-V, G-V measurements, respectively. These ultra-thin Lu2O3 films in contact with Si are not stable against silicate formation upon both ultra high vacuum (UHV) annealing and rapid thermal processing (RTP) in N-2 atmosphere. A procedure to convert the Lu-silicate layer back to continuous Lu2O3 oxide on Si using high-temperature UHV annealing was identified. (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• SABINA SPIGA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Microelectronic engineering (Rivista)