The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Molle, A; Perego, M; Bhuiyan, MNK; Wiemer, C; Tallarida, G; Fanciulli, M (2007)
  The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths
  in Journal of applied physics
  (literal)

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• Molle, A; Perego, M; Bhuiyan, MNK; Wiemer, C; Tallarida, G; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 034513 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 102 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• INFM, CNR, Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths (literal)

Abstract

• The interface properties of thin Gd2O3 films grown on Ge(001) are studied as a function of the oxidizing species used during the deposition. The mediation of molecular oxygen during growth produces a crystalline oxide with an atomically sharp and contamination-free interface on the Ge substrate. Conversely, an interface layer of substoichiometric germanium oxide occurs whenever atomic oxygen radicals are used. The two different Gd2O3/Ge interfacial configurations are discussed basing on thermodynamic arguments. (c) 2007 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "The interface between Gd2O3 films and Ge(001): A comparative study between molecular and atomic oxygen mediated growths" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

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• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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