Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Molle, A; Wiemer, C; Bhuiyan, MNK; Tallarida, G; Fanciulli, M; Pavia, G (2007)
  Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Molle, A; Wiemer, C; Bhuiyan, MNK; Tallarida, G; Fanciulli, M; Pavia, G (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 90 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, INFM, Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, Milano, Italy; STMicroelect, I-20041 Agrate Brianza, Milano, Italy (literal)

Titolo

• Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates (literal)

Abstract

• Thin crystalline films of Gd2O3 are grown on an atomically flat Ge(001) surface by molecular beam epitaxy and are characterized in situ by reflection high energy electron diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy, and ex situ by x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), and transmission electron microscopy. The first stage of the growth corresponds to a cubic (110) structure, with two equiprobable, 90 degrees rotated, in-plane domains. Increasing the thickness of the films, a phase transition from cubic (110) to monoclinic (100) oriented crystallites is observed which keeps the in-plane domain rotation, as evidenced by XRD and AFM. (C) 2007 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO MOLLE (Persona)
• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• MD NURUL KABIR BHUIYAN (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Cubic-to-monoclinic phase transition during the epitaxial growth of crystalline Gd2O3 films on Ge(001) substrates" (Insieme di parole chiave)