Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.4759354 (literal)
Alternative label
  • Patrick Fiorenza 1, Filippo Giannazzo 1, Alessia Frazzetto 2,3, Fabrizio Roccaforte 1 (2012)
    Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    in Journal of applied physics (online)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Patrick Fiorenza 1, Filippo Giannazzo 1, Alessia Frazzetto 2,3, Fabrizio Roccaforte 1 (literal)
Pagina inizio
  • 084501 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 112 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy 2 Scuola Superiore di Catania, Università degli Studi di Catania, Via Valdisavoia 9, 95123 Catania, Italy 3 STMicroelectronics, Stadale Primosole 50, 95121 Catania, Italy (literal)
Titolo
  • Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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