Band-gap profiling by laser writing of hydrogen-containing III-N-Vs (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Band-gap profiling by laser writing of hydrogen-containing III-N-Vs (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.86.155307 (literal)

Alternative label

• Balakrishnan N., Pettinari G., Makarovsky O., Turyanska L., Fay M.W., De Luca M., Polimeni A., Capizzi M., Martelli F., Rubini S., Patanè A. (2012)
  Band-gap profiling by laser writing of hydrogen-containing III-N-Vs
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Balakrishnan N., Pettinari G., Makarovsky O., Turyanska L., Fay M.W., De Luca M., Polimeni A., Capizzi M., Martelli F., Rubini S., Patanè A. (literal)

Pagina inizio

• 155307-1 (literal)

Pagina fine

• 155307-6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 86 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopus (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• School of Physics and Astronomy, The University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom Nottingham Nanotechnology and Nanoscience Centre, The University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom Dipartimento di Fisica, Sapienza Universit`a di Roma, Piazzale A. Moro 2, 00185 Roma, Italy TASC-IOM-CNR, Area Science Park, S.S. 14, Km. 163.5, 34149 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Band-gap profiling by laser writing of hydrogen-containing III-N-Vs (literal)

Abstract

• We show that the dissociation of the N-H complex in hydrogenated III-N-Vs can be laser activated at temperatures that are significantly smaller than those (>200 oC) required for thermal dissociation due to a resonant photon absorption by the N-H complex. This phenomenon provides a mechanism for profiling the band-gap energy in the growth plane of the III-N-Vs with submicron spatial resolution and high energy accuracy; the profiles are erasable and the alloys can be rehydrogenated making any nanoscale in-plane band-gap profile rewritable. (literal)

Prodotto di

• MD.P06.017.002 Sintesi e studio di nanostrutture (MD.P06.017.006) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• GIORGIO PETTINARI (Persona)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P06.017.002 Sintesi e studio di nanostrutture (MD.P06.017.006) (Modulo)

Autore CNR di

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• GIORGIO PETTINARI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)