Electrical transport features of SiNWs random network on Si support after covalent attachment of new organic functionalities (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electrical transport features of SiNWs random network on Si support after covalent attachment of new organic functionalities (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.5772/50963 (literal)

Alternative label

• Marianna Ambrico 1, Paolo Francesco Ambrico 1 and Rosa di Mundo 2 (2012)
  Electrical transport features of SiNWs random network on Si support after covalent attachment of new organic functionalities
  in Nanomaterials and Nanotechnology; InTech, Rijeka (Croazia)
  (literal)

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• Marianna Ambrico 1, Paolo Francesco Ambrico 1 and Rosa di Mundo 2 (literal)

Pagina inizio

• 1 (literal)

Pagina fine

• 8 (literal)

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• http://www.intechopen.com/journals/nanomaterials_and_nanotechnology/electrical-transport-of-sinws-array-after-covalent-attachment-of-new-organic-functionalities (literal)

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• 2 (literal)

Rivista

• Nanomaterials and Nanotechnology (Rivista)

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• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)
• Google Scholar (literal)

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• 1 C.N.R.- Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi, Sezione Territoriale di Bari, c/o Dipartimento di Chimica, Università degli Studi di Bari \"Aldo Moro\", Italy 2 Dipartimento di Chimica, Università degli Studi di Bari \"Aldo Moro\", Italy (literal)

Titolo

• Electrical transport features of SiNWs random network on Si support after covalent attachment of new organic functionalities (literal)

Abstract

• Modification  of  the  electrical  transport  of  a random  network  of  silicon  nanowires  assembled  on  n- silicon  support,  after  silicon  nanowires  functionalization  by  chlorination/alkylation  procedure  ,  is  here  described  and  discussed.  We  show  that  the  organic  functionalities  induce  charge  transfer  at  single  SiNW  and  produce  doping-like effect that is kept in the random network too.  The  SiNWs  network  also  presents  a  surface  recombination  velocity  lower  than  that  of  bulk  silicon.  Interestingly,  the  functionalized  silicon  nanowires/n-Si  junctions  display  photo-yield  and  open  circuit  voltages  higher  than  those  including  oxidized  silicon  nanowire  networks.  Electrical  properties  stability  in  time  of  junctions  embedding  propenyl  terminated  silicon nanowires  network  and  transport  modification  after secondary  functionalization  is  also  shown.  These  results  suggest  a  possible  route  for  the  integration  of  functionalized  Si  nanowires,  although  randomly  distributed,  in stable  large  area sensitive based devices. (literal)

Editore

• InTech (Editore)

Prodotto di

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Tecniche spettroscopiche e optoelettroniche per lo studio di superfici e interfacce (MD.P03.026.003) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLO FRANCESCO AMBRICO (Unità di personale interno)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)

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Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Tecniche spettroscopiche e optoelettroniche per lo studio di superfici e interfacce (MD.P03.026.003) (Modulo)

Autore CNR di

• MARIANNA AMBRICO (Persona)
• PAOLO FRANCESCO AMBRICO (Unità di personale interno)

Editore di

• InTech (Editore)

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• Nanomaterials and Nanotechnology (Rivista)