Lasing in planar semiconductor diodes (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Lasing in planar semiconductor diodes (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.3672438 (literal)
Alternative label
  • De Simoni, Giorgio; Mahler, Lukas; Piazza, Vincenzo; Tredicucci, Alessandro; Nicoll, Christine A.; Beere, Harvey E.; Ritchie, David A.; Beltram, Fabio (2011)
    Lasing in planar semiconductor diodes
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • De Simoni, Giorgio; Mahler, Lukas; Piazza, Vincenzo; Tredicucci, Alessandro; Nicoll, Christine A.; Beere, Harvey E.; Ritchie, David A.; Beltram, Fabio (literal)
Pagina inizio
  • 261110 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 99 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 26 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • Scuola Normale Super Pisa, Lab NEST, I-56127 Pisa, Italy Ist Nanosci CNR, NEST, I-56127 Pisa, Italy Ctr Nanotechnol Innovat NEST, Ist Italiano Tecnol, I-56127 Pisa, Italy Univ Cambridge, Cavendish Lab, Cambridge CB3 0HE, England (literal)
Titolo
  • Lasing in planar semiconductor diodes (literal)
Abstract
  • We present a planar laser diode based on a simple fabrication scheme compatible with virtually any geometry accessible by standard semiconductor lithography technique. We show that our lasers exhibit similar to 1 GHz -3 dB-modulation-bandwidth already in this prototypical implementation. Directions for a significant speed increase are discussed. (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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Prodotto
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data.CNR.it