Semiconductor nanowires for highly sensitive, room-temperature detection of terahertz quantum cascade laser emission (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Semiconductor nanowires for highly sensitive, room-temperature detection of terahertz quantum cascade laser emission (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4724309 (literal)

Alternative label

• Vitiello, Miriam S.; Viti, Leonardo; Romeo, Lorenzo; Ercolani, Daniele; Scalari, G.; Faist, J.; Beltram, F.; Sorba, L.; Tredicucci, A. (2012)
  Semiconductor nanowires for highly sensitive, room-temperature detection of terahertz quantum cascade laser emission
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Vitiello, Miriam S.; Viti, Leonardo; Romeo, Lorenzo; Ercolani, Daniele; Scalari, G.; Faist, J.; Beltram, F.; Sorba, L.; Tredicucci, A. (literal)

Pagina inizio

• 241101 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 24 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Ist Nanosci CNR, NEST, I-56127 Pisa, Italy Scuola Normale Super Pisa, I-56127 Pisa, Italy ETH Honggerberg, Inst Quantum Elect, Zurich Phys Dept, CH-8093 Zurich, Switzerland (literal)

Titolo

• Semiconductor nanowires for highly sensitive, room-temperature detection of terahertz quantum cascade laser emission (literal)

Abstract

• We report on the development of nanowire-based field-effect transistors operating as high sensitivity terahertz (THz) detectors. By feeding the 1.5 THz radiation field of a quantum cascade laser (QCL) at the gate-source electrodes with a wide band dipole antenna, we record a photovoltage signal corresponding to responsivity values >10 V/W, with impressive noise equivalent power levels <6 x 10(-11) W/root Hz at room temperature and a wide modulation bandwidth. The potential scalability to even higher frequencies and the technological feasibility of realizing multi-pixel arrays coupled with QCL sources make the proposed technology highly competitive for a future generation of THz detection systems. (literal)

Prodotto di

• Dispositivi Terahertz a semiconduttore (MD.P06.039.001) (Modulo)
• Nanofotonica (MD.P06.020.002) (Modulo)

Autore CNR

• MIRIAM SERENA VITIELLO (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO TREDICUCCI (Unità di personale interno)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)
• FABIO BELTRAM (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• MIRIAM SERENA VITIELLO (Unità di personale interno)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO TREDICUCCI (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)
• FABIO BELTRAM (Persona)

Prodotto

• Nanofotonica (MD.P06.020.002) (Modulo)
• Dispositivi Terahertz a semiconduttore (MD.P06.039.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)