Terahetz detection by heterostructed InAs/InSb nanowire based field effect transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Terahetz detection by heterostructed InAs/InSb nanowire based field effect transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.4757005 (literal)

Alternative label

• Pitanti, A.; Coquillat, D.; Ercolani, D.; Sorba, L.; Teppe, F.; Knap, W.; De Simoni, G.; Beltram, F.; Tredicucci, A.; Vitiello, M.S. (2012)
  Terahetz detection by heterostructed InAs/InSb nanowire based field effect transistors
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Pitanti, A.; Coquillat, D.; Ercolani, D.; Sorba, L.; Teppe, F.; Knap, W.; De Simoni, G.; Beltram, F.; Tredicucci, A.; Vitiello, M.S. (literal)

Pagina inizio

• 141103 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 101 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 14 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Pitanti, A.; Ercolani, D.; Sorba, L.; Beltram, F.; Tredicucci, A.; Vitiello, M.S.; NEST, Scuola Normale Superiore, Pisa, Italy. Coquillat, D.; Teppe, F.; Knap, W.; TERALAB-GIS, Univ. Montpellier 2, Montpellier, France. De Simoni, G.; Center for Nanotechnol. Innovation @NEST, Ist. Italiano di Tecnol., Pisa, Italy. (literal)

Titolo

• Terahetz detection by heterostructed InAs/InSb nanowire based field effect transistors (literal)

Abstract

• Heterostructured InAs/InSb nanowire (Nw) based field effect transistors (FET) have been fabricated and tested as Terahetz radiation detectors. While responsivity and noise equivalent power compare with the ones of InAs nanowire detectors, the presence of small-gap InSb semiconductor gives rise to interesting physical effects such an increase of the detected signal with charge injection through the wire, at odds with standard FET-detectors. Additionally, the photodetected signal voltage changes its sign after a threshold gate bias, which we explain considering surface-related transport and field asymmetries imposed by the use of a lateral gate electrode. (literal)

Prodotto di

• Nanofotonica (MD.P06.020.002) (Modulo)
• Dispositivi Terahertz a semiconduttore (MD.P06.039.001) (Modulo)

Autore CNR

• FABIO BELTRAM (Persona)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• MIRIAM SERENA VITIELLO (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)
• Alessandro Pitanti (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRO TREDICUCCI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• MIRIAM SERENA VITIELLO (Unità di personale interno)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO TREDICUCCI (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Unità di personale esterno)
• Alessandro Pitanti (Unità di personale esterno)
• FABIO BELTRAM (Persona)

Prodotto

• Nanofotonica (MD.P06.020.002) (Modulo)
• Dispositivi Terahertz a semiconduttore (MD.P06.039.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)