Photoluminescence of individual doped GaAs/AlGaAs nanofabricated quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Photoluminescence of individual doped GaAs/AlGaAs nanofabricated quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2734397 (literal)

Alternative label

• Kalliakos, S; Garcia, CP; Pellegrini, V; Zamfirescu, M; Cavigli, L; Gurioli, M; Vinattieri, A; Pinczuk, A; Dennis, BS; Pfeiffer, LN; West, KW (2007)
  Photoluminescence of individual doped GaAs/AlGaAs nanofabricated quantum dots
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Kalliakos, S; Garcia, CP; Pellegrini, V; Zamfirescu, M; Cavigli, L; Gurioli, M; Vinattieri, A; Pinczuk, A; Dennis, BS; Pfeiffer, LN; West, KW (literal)

Pagina inizio

• 181902-1 (literal)

Pagina fine

• 181902-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 90 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 18 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Scuola Normale Super Pisa, NEST, CNR, INFM, I-56126 Pisa, Italy; Univ Florence, Dept Phys, I-50019 Sesto Fiorentino, Italy; Univ Florence, LENS, I-50019 Sesto Fiorentino, Italy; Columbia Univ, Dept Phys, Dept Appl Phys & Appl Math, New York, NY 10027 USA; Bell Labs, Alcatel Lucent, Murray Hill, NJ 07974 USA (literal)

Titolo

• Photoluminescence of individual doped GaAs/AlGaAs nanofabricated quantum dots (literal)

Abstract

• Dilute arrays of GaAs/AlGaAs modulation-doped quantum dots with same sizes fabricated by electron beam lithography and low impact reactive ion etching exhibit highly uniform luminescence lines. Single quantum dots display spectral emission with peak energies and linewidths linked largely to the geometrical diameter of the dot and to the built-in electron population. Multicharged excitonic and biexcitonic emission intensities have activation energy of about 2 meV. These results highlight the potential of high quality nanofabricated quantum dots for applications in areas that require fine control of optical emission. (c) 2007 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)

Autore CNR

• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• SOKRATIS KALLIAKOS (Unità di personale esterno)

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Autore CNR di

• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• SOKRATIS KALLIAKOS (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)