Electron Transport in SiGe Alloy Nanowires in the Ballistic Regime from First-Principles (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Electron Transport in SiGe Alloy Nanowires in the Ballistic Regime from First-Principles (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1021/nl204313y (literal)
Alternative label
  • Amato M, S. Ossicini, and R. Rurali (2012)
    Electron Transport in SiGe Alloy Nanowires in the Ballistic Regime from First-Principles
    in Nano letters (Print); ACS, American chemical society, Washington, DC (Stati Uniti d'America)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Amato M, S. Ossicini, and R. Rurali (literal)
Pagina inizio
  • 2717 (literal)
Pagina fine
  • 2721 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 12 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 6 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1. CSIC, Inst Ciencia Mat Barcelona, E-08193 Barcelona, Spain 2. Univ Modena & Reggio Emilia, Ctr Interdipartimentale En&Tech, Dipartimento Sci & Metodi Ingn, I-42100 Reggio Emilia, Italy 3. CNR Ist Nanosci, Ctr S3, I-41125 Modena, Italy (literal)
Titolo
  • Electron Transport in SiGe Alloy Nanowires in the Ballistic Regime from First-Principles (literal)
Abstract
  • Silicon-germanium alloying is emerging as one of the most promising strategies to engineer heat transport at the nanoscale. Here, we perform first-principles electron transport calculations to assess at what extent such approach can be followed without worsening the electrical conduction properties of the system, providing then a path toward high-efficiency thermoelectric materials. (literal)
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