Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/LED.2009.2020521 (literal)

Alternative label

• Robert Müller; Christoph Krebs; Ludovic Goux; Dirk J. Wouters; Jan Genoe; Paul Heremans; Sabina Spiga; Marco Fanciulli (2009)
  Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer
  in IEEE electron device letters (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Robert Müller; Christoph Krebs; Ludovic Goux; Dirk J. Wouters; Jan Genoe; Paul Heremans; Sabina Spiga; Marco Fanciulli (literal)

Pagina inizio

• 620 (literal)

Pagina fine

• 622 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 30 (literal)

Rivista

• IEEE electron device letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Interuniv Microelect Ctr, B-3001 Louvain, Belgium 2. Rhein Westfal TH Aachen, D-52056 Aachen, Germany 3. Katholieke Univ Leuven, Dept Elect Engn, B-3001 Louvain, Belgium 4. CNR INFM, Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, Italy 5. Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20126 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer (literal)

Abstract

• In this letter, we investigate bipolar resistive switching of CuTCNQ-based memory cells in which various types of oxides Are incorporated as dedicated switching layer (SL) in a bottom electrode\oxide\CuTCNQ\top electrode configuration. The bottom electrode was Pt as well as n(+)Si. As oxide SL, we used Al(2)O(3), HfO(2), ZrO(2), and SiO(2). Au was employed as the top electrode. The basic memory characteristics appear to be independent of the type of oxide used. This gives clear indication that the materials investigated as SL mainly act as matrix in which conductive channels are formed and dissolved. (literal)

Prodotto di

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)

Autore CNR

• SABINA SPIGA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Unità di personale interno)

Prodotto

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• IEEE electron device letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Bipolar Resistive Electrical Switching of CuTCNQ Memories Incorporating a Dedicated Switching Layer" (Insieme di parole chiave)