Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1828600 (literal)

Alternative label

• G. Seguini, E. Bonera, S. Spiga, G. Scarel, and M. Fanciulli (2004)
  Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Seguini, E. Bonera, S. Spiga, G. Scarel, and M. Fanciulli (literal)

Pagina inizio

• 5316 (literal)

Pagina fine

• 5318 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v85/i22/p5316_s1?isAuthorized=no (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 85 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Laboratorio Nazionale MDM-INFM, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MI), Italy (literal)

Titolo

• Energy-band diagram of metal/Lu2O3/silicon structures (literal)

Abstract

• Internal photoemission spectroscopy has been used to determine the band alignment in Lu2O3 based metal-oxide-semiconductor structures. The Si/Lu2O3 interface conduction- and valence-band offsets were determined to be 2.1±0.1 and 2.6±0.1 eV, respectively. The energy barrier for electrons at the Al/Lu2O3 interface is 2.4±0.1 eV. The value of the Lu2O3 transport band gap, obtained by photoconductivity measurements, was found to be 5.8±0.1 eV. Optical absorption spectroscopy gave a value of 4.89±0.02 eV for the Lu2O3 optical band gap. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• SABINA SPIGA (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• EMILIANO BONERA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• EMILIANO BONERA (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)