1.31 mu m InGaAs quantum dot light-emitting diodes grown directly in a GaAs matrix by metalorganic chemical-vapor deposition (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• 1.31 mu m InGaAs quantum dot light-emitting diodes grown directly in a GaAs matrix by metalorganic chemical-vapor deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1687979 (literal)

Alternative label

• Maria Teresa Todaro; Milena De Giorgi; Vittorianna Tasco; Massimo De Vittorio; Roberto Cingolani; Adriana Passaseo (2004)
  1.31 mu m InGaAs quantum dot light-emitting diodes grown directly in a GaAs matrix by metalorganic chemical-vapor deposition
  in Applied physics letters (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Maria Teresa Todaro; Milena De Giorgi; Vittorianna Tasco; Massimo De Vittorio; Roberto Cingolani; Adriana Passaseo (literal)

Pagina inizio

• 2482 (literal)

Pagina fine

• 2484 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• NNL-INFM-Unità di Lecce-Dipartimento di Ingegneria dell' Innovazione, Università di Lecce, Via Arnesano, 73100 Lecce, Italy (literal)

Titolo

• 1.31 mu m InGaAs quantum dot light-emitting diodes grown directly in a GaAs matrix by metalorganic chemical-vapor deposition (literal)

Abstract

• We investigate the optical properties of light-emitting diodes (LEDs) operating at 1.3 ?m embedding, in the intrinsic region, quantum dots (QDs) directly grown by metalorganic chemical-vapor deposition in a GaAs matrix, without indium in the barrier. The device characterization shows a full width at half maximum of the ground state emission as narrow as 24 meV at room temperature and a quenching of the emission between 30 K and room temperature as low as 2.75. Despite the low dot density (1.6×109 cm-2), the external quantum efficiency of our devices is 0.03%. This indicates that the individual QD efficiency of our devices is about 30% higher than that reported in the literature for state of the art InGaAs/InGaAs QD LEDs. (literal)

Autore CNR

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• VITTORIANNA TASCO (Persona)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• MILENA DE GIORGI (Persona)
• ROBERTO CINGOLANI (Unità di personale esterno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ADRIANA GRAZIA PASSASEO (Unità di personale interno)
• MILENA DE GIORGI (Persona)
• MARIA TERESA TODARO (Unità di personale interno)
• ROBERTO CINGOLANI (Unità di personale esterno)
• MASSIMO DE VITTORIO (Persona)
• VITTORIANNA TASCO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)