Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1785290 (literal)

Alternative label

• Rost, C; Karg, S; Riess, W; Loi, MA; Murgia, M; Muccini, M (2004)
  Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rost, C; Karg, S; Riess, W; Loi, MA; Murgia, M; Muccini, M (literal)

Pagina inizio

• 1613 (literal)

Pagina fine

• 1615 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/ (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 85 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, ISMN, I-40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor (literal)

Abstract

• We demonstrate a light-emitting organic field-effect transistor (OFET) with pronounced ambipolar current characteristics. The ambipolar transport layer is a coevaporated thin film of alpha-quinquethiophene (alpha-5T) as hole-transport material and N,N(')-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide (P13) as electron-transport material. The light intensity is controlled by both the drain-source voltage V(DS) and the gate voltage V(G). Moreover, the latter can be used to adjust the charge-carrier balance. The device structure serves as a model system for ambipolar light-emitting OFETs and demonstrates the general concept of adjusting electron and hole mobilities by coevaporation of two different organic semiconductors. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• MAURO MURGIA (Persona)
• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• MAURO MURGIA (Persona)

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)