A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3702466 (literal)

Alternative label

• Dianat P, Prusak RW, Galo E, Cola A, Persano A, Quaranta F, Nabet B (2012)
  A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Dianat P, Prusak RW, Galo E, Cola A, Persano A, Quaranta F, Nabet B (literal)

Pagina inizio

• 153505-1 (literal)

Pagina fine

• 153505-3 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i15/p153505_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 15 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [Dianat P; Prusak R W; Galo E; Nabet B] Electrical and Computer Engineering Department, Drexel University, Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA; [Cola A; Persano A; Quaranta F] Institute for Microelectronics and Microsystems-Unit of Lecce, National Council of Research (IMM-CNR); Via Monteroni, Lecce 73100, Italy (literal)

Titolo

• A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge (literal)

Abstract

• We report on a variable capacitor that is formed between Schottky contacts and the two dimensional electron gas (2DEG) in a planar metal-semiconductor-metal structure. Device capacitance at low bias is twice the series capacitance of anode and cathode, enhancing to a maximum value, Cmax, at a threshold voltage, before reaching a minimum, Cmin, lower than the geometric capacitance of the coplanar contacts, thus resulting in ultra high Cmax=Cmin tuning ratio. Sensitivity, the normalized change of capacitance with voltage, is also very large. The dense reservoir of the 2DEG charge maintained between contacts is shown to be responsible for this remarkable performance. (literal)

Prodotto di

• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)
• ADRIANO COLA (Unità di personale interno)
• FABIO QUARANTA (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ADRIANO COLA (Unità di personale interno)
• FABIO QUARANTA (Unità di personale interno)
• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge" (Insieme di parole chiave)