Analysis of Self-Heating-Related Instability in Self-Aligned p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Analysis of Self-Heating-Related Instability in Self-Aligned p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/LED.2010.2051137 (literal)

Alternative label

• Gaucci P.; Valletta A.; Mariucci L.; Pecora A.; Maiolo L.; Fortunato G. (2010)
  Analysis of Self-Heating-Related Instability in Self-Aligned p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
  in IEEE electron device letters (Print); IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc., Piscataway (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Gaucci P.; Valletta A.; Mariucci L.; Pecora A.; Maiolo L.; Fortunato G. (literal)

Pagina inizio

• 830 (literal)

Pagina fine

• 832 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=5498870 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 31 (literal)

Rivista

• IEEE electron device letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR - IMM (literal)

Titolo

• Analysis of Self-Heating-Related Instability in Self-Aligned p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors (literal)

Abstract

• Self-heating-related instabilities have been studied in p-channel polycrystalline-silicon thin-film transistors. The spatial distribution of the interface-state and fixed-oxide-charge densities generated during self-heating experiments has been analyzed and quantitatively determined by using negative-bias temperature stress experiments and 2-D numerical simulations. In addition, the observed asymmetry in the output characteristics with respect to source/drain contact reversal is also perfectly reproduced, confirming the validity of the proposed model. (literal)

Editore

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Prodotto di

• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Analysis of Self-Heating-Related Instability in Self-Aligned p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

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• IEEE electron device letters (Rivista)

Editore di

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Analysis of Self-Heating-Related Instability in Self-Aligned p-Channel Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors" (Insieme di parole chiave)