Manganese-induced growth of GaAs nanowires (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Manganese-induced growth of GaAs nanowires (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1021/nl0607838 (literal)
Alternative label
  • Martelli, F (Martelli, Faustino); Rubini, S (Rubini, Silvia); Piccin, M (Piccin, Matteo); Bais, G (Bais, Giorgio); Jabeen, F (Jabeen, Fauzia); De Franceschi, S (De Franceschi, Silvano); Grillo, V (Grillo, Vincenzo); Carlino, E (Carlino, Elvio); D'Acapito, F (D'Acapito, Francesco); Boscherini, F (Boscherini, Federico); Cabrini, S (Cabrini, Stefano); Lazzarino, M (Lazzarino, Marco); Businaro, L (Businaro, Luca); Romanato, F (Romanato, Filippo); Franciosi, A (Franciosi, Alfonso) (2006)
    Manganese-induced growth of GaAs nanowires
    in Nano letters (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Martelli, F (Martelli, Faustino); Rubini, S (Rubini, Silvia); Piccin, M (Piccin, Matteo); Bais, G (Bais, Giorgio); Jabeen, F (Jabeen, Fauzia); De Franceschi, S (De Franceschi, Silvano); Grillo, V (Grillo, Vincenzo); Carlino, E (Carlino, Elvio); D'Acapito, F (D'Acapito, Francesco); Boscherini, F (Boscherini, Federico); Cabrini, S (Cabrini, Stefano); Lazzarino, M (Lazzarino, Marco); Businaro, L (Businaro, Luca); Romanato, F (Romanato, Filippo); Franciosi, A (Franciosi, Alfonso) (literal)
Pagina inizio
  • 2130 (literal)
Pagina fine
  • 2134 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 6 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 9 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1. CNR, INFM, TASC, Lab Nazl,Area Sci Pk, I-34012 Trieste, Italy 2. Univ Trieste, Ctr Excellence Nanostructured Mat, I-34127 Trieste, Italy 3. European Synchrotron Radiat Facil, GILDA, CRG, CNR INFM OGG, F-38043 Grenoble, France 4. Univ Bologna, Dept Phys, I-40127 Bologna, Italy 5. Univ Bologna, CNISM, I-40127 Bologna, Italy (literal)
Titolo
  • Manganese-induced growth of GaAs nanowires (literal)
Abstract
  • GaAs nanowires have been grown on SiO2 and GaAs by molecular beam epitaxy using manganese as growth catalyst. Transmission electron microscopy shows that the wires have a wurtzite-type lattice and that r-Mn particles are found at the free end of the wires. X-ray absorption fine structure measurements reveal the presence of a significant fraction of Mn-As bonds, suggesting Mn diffusion and incorporation during wire growth. Transport measurements indicate that the wires are p-type, as expected from doping of GaAs with Mn. (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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