Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.865 (literal)

Alternative label

• Anzalone R; Camarda M; Alquier D; Italia M; Severino A; Piluso N; La Magna A; Foti G; Locke C; Saddow S.E; Roncaglia A; Mancarella F; Poggi A; D'Arrigo G; La Via F (2010)
  Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Anzalone R; Camarda M; Alquier D; Italia M; Severino A; Piluso N; La Magna A; Foti G; Locke C; Saddow S.E; Roncaglia A; Mancarella F; Poggi A; D'Arrigo G; La Via F (literal)

Pagina inizio

• 865 (literal)

Pagina fine

• 868 (literal)

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• http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-77955457592&partnerID=40&md5=f98dd7286af692a4923184ea23ff8754 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 6645-6648 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Phys. Dept., University of Catania, Via Santa Sofia 64, 95125, Catania, Italy; IMM-CNR, Sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121, Catania, Italy; Tours L.M.P, Università Francois Rabelais, 37071 Tours Cedex 2, France; Dept. of Elec. Eng., University of South Florida, E. Fowler Ave., Tampa, FL 33620, United States; IMM-CNR, Sezione di Bologna, Via Gobetti 10140129, Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Residual stress measurement and simulation of 3C-SiC single and poly crystal cantilevers (literal)

Abstract

• The fabrication of SiC MEMS-based sensors requires new processes able to realize microstructures on either bulk material or on the SiC surface. The hetero-epitaxial growth of 3C-SiC on silicon substrates allows one to overcome the traditional limitations of SiC micro-fabrication. In this work a comparison between single crystal and poly crystal 3C-SiC micro-machined structures will be presented. The free-standing structures realized (cantilevers and membrane) are also a suitable method for residual field stress investigation in 3C-SiC films. Measurement of the Raman shift indicates that the mono and poly-crystal 3C-SiC structures release the stress in different ways. Finite element analysis was performed to determine the stress field inside the films and provided a good fit to the experimental data. A comprehensive experimental and theoretical study of 3C-SiC MEMS structures has been performed and is presented. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• ALBERTO RONCAGLIA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ALBERTO RONCAGLIA (Persona)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• FULVIO MANCARELLA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Materials science forum (Rivista)