Self-assembly of InAs and Si/Ge quantum dots on structured surfaces (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Self-assembly of InAs and Si/Ge quantum dots on structured surfaces (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1088/0953-8984/16/17/005 (literal)
Alternative label
  • F. Patella; A. Sgarlata; F. Arciprete; S. Nufris; P. D. Szkutnik; E. Placidi; M. Fanfoni; N. Motta; A. Balzarotti (2004)
    Self-assembly of InAs and Si/Ge quantum dots on structured surfaces
    in Journal of physics. Condensed matter (Print)
    (literal)
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  • F. Patella; A. Sgarlata; F. Arciprete; S. Nufris; P. D. Szkutnik; E. Placidi; M. Fanfoni; N. Motta; A. Balzarotti (literal)
Pagina inizio
  • S1503 (literal)
Pagina fine
  • S1534 (literal)
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  • http://iopscience.iop.org/0953-8984/16/17/005 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 16 (literal)
Rivista
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  • 32 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 17 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS), Scopus (literal)
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  • Dipartimento di Fisica, Università di Roma 'Tor Vergata', Via della Ricerca Scientifica, 1-00133 Roma (I), Italy Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Dipartimento di Fisica, Università di Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Roma (I), Italy (literal)
Titolo
  • Self-assembly of InAs and Si/Ge quantum dots on structured surfaces (literal)
Abstract
  • We discuss the self-aggregation process of InAs and Si-Ge quantum dots (QDs) on natural and patterned GaAs(001) and Si(001) and Si(111) surfaces, with reference to our recent studies with scanning tunnelling and atomic force microscopy and current experimental and theoretical works. Various methods for obtaining naturally structured surfaces are briefly surveyed, as the patterning formed by the surface instability and by the strain in mismatched heteroepitaxy, and the latest methods of pre-patterning and growth at selected sites are discussed. Basic topics are also addressed that determine the final morphology of QDs, such as the wetting layer formation, the elastic strain field and the two-dimensional to three-dimensional phase transition. (literal)
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