Nanostructuring in Ge by self-ion implantation (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Nanostructuring in Ge by self-ion implantation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3372757 (literal)

Alternative label

• L. Romano1, G. Impellizzeri1, M. V. Tomasello2, F. Giannazzo3, C. Spinella3, and M. G. Grimaldi1 (2010)
  Nanostructuring in Ge by self-ion implantation
  in Journal of applied physics; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L. Romano1, G. Impellizzeri1, M. V. Tomasello2, F. Giannazzo3, C. Spinella3, and M. G. Grimaldi1 (literal)

Pagina inizio

• 084314-1 (literal)

Pagina fine

• 084314-5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 107 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 8 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1Dipartimento di Fisica e Astronomia and MATIS CNR-INFM, Università di Catania, Via S. Sofia 64, I-95123 Catania, Italy 2Scuola Superiore di Catania, Via San Nullo 5/i, I-95123 Catania, Italy 3CNR-IMM, Strada VIII, No. 5, Zona Industriale, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Nanostructuring in Ge by self-ion implantation (literal)

Abstract

• We report here a detailed study about the formation and self-organization of nanoscale structures during ion beam implantation at room temperature of 300 keV Ge(+) in Ge as a function of the ion fluence in the range between 1 x 10(14) to 4 x 10(16) cm(-2). \"Microexplosions\" characterize the morphology of the swelled material; a random cellular structure consisting of cells surrounded by amorphous Ge ripples has been observed and studied in details by combining atomic force microscopy, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• LUCIA ROMANO (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Nanostructuring in Ge by self-ion implantation" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• LUCIA ROMANO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Nanostructuring in Ge by self-ion implantation" (Insieme di parole chiave)