Defect distribution along single GaN nanowhiskers (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Defect distribution along single GaN nanowhiskers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1021/nl060332n (literal)

Alternative label

• Cavallini A.; Polenta L.; Rossi M.; Richter T.; Marso M.; Meijers R.; Calarco R.; Luth H. (2006)
  Defect distribution along single GaN nanowhiskers
  in Nano letters (Print); American Chemical Society, Washington (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Cavallini A.; Polenta L.; Rossi M.; Richter T.; Marso M.; Meijers R.; Calarco R.; Luth H. (literal)

Pagina inizio

• 1548 (literal)

Pagina fine

• 1551 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl060332n (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 6 (literal)

Rivista

• Nano letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 7 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Physics Department, UniVersity of Bologna, Viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy; Institute of Thin Films and Interfaces (ISG1) and Centre of Nanoelectronic Systems for Information Technology, Research Center Julich, 52425 Julich, Germany (literal)

Titolo

• Defect distribution along single GaN nanowhiskers (literal)

Abstract

• In this letter we report on spectral photoconductivity (PC) on different sections of single MBE-grown GaN nanowhiskers of diameters ranging on the order of 100 nm. The photoconductivity spectra show, besides the band-gap related transition, deep-levels corresponding to the yellow, green, and blue bands. A strong spatial localization of specific photocurrent peaks has been observed, indicating that the defects responsible for such transitions are distributed inhomogeneously along the column growth direction. (literal)

Editore

• American Chemical Society (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANNA CAVALLINI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Defect distribution along single GaN nanowhiskers" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ANNA CAVALLINI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Nano letters (Rivista)

Editore di

• American Chemical Society (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Defect distribution along single GaN nanowhiskers" (Insieme di parole chiave)