Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.81.195311 (literal)

Alternative label

• G. Frucci 1 ; L. Di Gaspare 1; F. Evangelisti 1; E. Giovine 2 ; A. Notargiacomo 2; V. Piazza 3; F. Beltram 3 (2010)
  Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online); American Physical Society (APS), College Pk (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• G. Frucci 1 ; L. Di Gaspare 1; F. Evangelisti 1; E. Giovine 2 ; A. Notargiacomo 2; V. Piazza 3; F. Beltram 3 (literal)

Pagina inizio

• 195311 (literal)

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• Web of Science Category: Physics, Condensed Matter (literal)

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• 81 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

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• 6 (literal)

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• 19 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

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• 1. Dipartimento di Fisica, Università Roma TRE, Via Vasca Navale 84, 00146 Roma, Italy 2. Istituto di Fotonica e Nanotecnologie-CNR, Via Cineto Romano 42, 00156 Roma, Italy 3. NEST, Scuola Normale Superiore and Istituto Nanoscienze-CNR, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (literal)

Abstract

• The conductance of strongly confined one-dimensional constrictions fabricated from Si/SiGe two-dimensional electron gases is investigated. Conductance measurements reveal conductance quantization in units of G(0)=2e(2)/h rather than 2G(0)=4e(2)/h, as expected in the presence of valley and spin degeneracy. Furthermore, at temperatures below T=400 mK, small steps and peaklike features, superimposed to the conductance plateaus, become visible. The conductance in the presence of parallel and perpendicular magnetic field shows that significant valley splitting is present even at zero magnetic field. The enhanced valley splitting observed in our etched devices is related to the strong in-plane confinement. (literal)

Editore

• American Physical Society (APS) (Editore)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• MEMS,NEMS e Dispositivi microelettronici (MD.P05.018.001) (Modulo)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)

Autore CNR

• ENNIO GIOVINE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ENNIO GIOVINE (Persona)

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)
• MEMS,NEMS e Dispositivi microelettronici (MD.P05.018.001) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Editore di

• American Physical Society (APS) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures" (Insieme di parole chiave)