Electronic transport in field-effect transistors of sexithiophene (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Electronic transport in field-effect transistors of sexithiophene (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1789279 (literal)

Alternative label

• Stallinga, P; Gomes, HL; Biscarini, F; Murgia, M; de Leeuw, DM (2004)
  Electronic transport in field-effect transistors of sexithiophene
  in Journal of applied physics; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Stallinga, P; Gomes, HL; Biscarini, F; Murgia, M; de Leeuw, DM (literal)

Pagina inizio

• 5277 (literal)

Pagina fine

• 5283 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v96/i9/p5277_s1?isAuthorized=no (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 96 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• P. Stallinga H. L. Gomes Universidade do Algarve, Faculdade de Ciências e Tecnologia, Campus de Gambelas, P-8000 Faro, Portugal F. Biscarini , M. Murgia CNR-Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti 101, I-40129 Bologna, Italy D. M. de Leeuw Philips Research, Prof. Holstlaan 4, NL-5656 AA Eindhoven, The Netherlands (literal)

Titolo

• Electronic transport in field-effect transistors of sexithiophene (literal)

Abstract

• The electronic conduction of thin-film field-effect-transistors (FETs) of sexithiophene was studied. In most cases the transfer curves deviate from standard FET theory; they are not linear, but follow a power law instead. These results are compared to conduction models of \"variable-range hopping\" and \"multi-trap-and-release\". The accompanying IV curves follow a Poole-Frenkel (exponential) dependence on the drain voltage. The results are explained assuming a huge density of traps. Below 200 K, the activation energy for conduction was found to be ca. 0.17 eV. The activation energies of the mobility follow the Meyer-Neldel rule. A sharp transition is seen in the behavior of the devices at around 200 K. The difference in behavior of a micro-FET and a submicron FET is shown. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• MAURO MURGIA (Persona)
• FABIO BISCARINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MAURO MURGIA (Persona)
• FABIO BISCARINI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)