Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1785290 (literal)

Alternative label

• Rost, C; Karg, S; Riess, W; Loi, MA; Murgia, M; Muccini, M (2004)
  Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Rost, C; Karg, S; Riess, W; Loi, MA; Murgia, M; Muccini, M (literal)

Pagina inizio

• 1613 (literal)

Pagina fine

• 1615 (literal)

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• http://dx.doi.org/10.1063/1.1785290 (literal)

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• 85 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 9 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Constance Rost, Siegfried Karg, Walter Riess IBM Research GmbH, Zurich Research Laboratory, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland Maria Antonietta Loi, Mauro Murgia, Michele Muccini Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (CNR-ISMN), via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Ambipolar light-emitting organic field-effect transistor (literal)

Abstract

• We demonstrate a light-emitting organic field-effect transistor (OFET) with pronounced ambipolar current characteristics. The ambipolar transport layer is a coevaporated thin film of a-quinquethiophene sa-5Td as hole-transport material and N,N8-ditridecylperylene- 3,4,9,10-tetracarboxylic diimide (P13) as electron-transport material. The light intensity is controlled by both the drain-source voltage VDS and the gate voltage VG. Moreover, the latter can be used to adjust the charge-carrier balance. The device structure serves as a model system for ambipolar light-emitting OFETs and demonstrates the general concept of adjusting electron and hole mobilities by coevaporation of two different organic semiconductors. (literal)

Prodotto di

• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• MAURO MURGIA (Persona)
• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• MARIA ANTONIETTA LOI (Persona)

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Autore CNR di

• MICHELE MUCCINI (Unità di personale interno)
• MARIA ANTONIETTA LOI (Persona)
• MAURO MURGIA (Persona)

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• dispositivi multifunzionali avanzati basati su nanostrutture organiche e ibride e loro investigazione mediante sonde ottiche non convenzionali (DIMO) (PM.P04.007.001) (Modulo)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)