Electrical Properties of Ultrathin SiO2 Layer Deposited at 50 degrees C by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electrical Properties of Ultrathin SiO2 Layer Deposited at 50 degrees C by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1143/APEX.5.021103 (literal)

Alternative label

• Mannino G, Ruggeri R, Alberti A, Privitera V, Fortunato G, Maiolo L (2012)
  Electrical Properties of Ultrathin SiO2 Layer Deposited at 50 degrees C by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition
  in Applied physics express
  (literal)

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• Mannino G, Ruggeri R, Alberti A, Privitera V, Fortunato G, Maiolo L (literal)

Pagina inizio

• 021103 (literal)

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• http://apex.jsap.jp/link?APEX/5/021103/ (literal)

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• 5 (literal)

Rivista

• Applied physics express (Rivista)

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• 2 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR IMM Catania, I-95121 Catania, Italy 2. Univ Messina, Dipartimento Fis & Ingn Elettron, I-98166 Messina, Italy 3. CNR IMM Roma, I-00133 Rome, Italy 4. IIT, I-16163 Genoa, Italy (literal)

Titolo

• Electrical Properties of Ultrathin SiO2 Layer Deposited at 50 degrees C by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition (literal)

Abstract

• We found a strong correlation between the layer porosity and electrical properties of a SiO2 layer deposited by inductively coupled plasma chemical vapor deposition. At 50 °C the SiO2 layers have a double structure: a dense layer in contact with the substrate and a porous layer on top of it. The critical thickness at which voids appear depends on the deposition rate. Breakdown voltage and charge trapping performances of SiO2 layers are very good if the thickness is below the critical value and deteriorate significantly in thicker, porous, layers. Layer porosity is absent when the sample is deposited at 250 °C. (literal)

Prodotto di

• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• Rosa Ruggeri (Persona)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)
• GIOVANNI MANNINO (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Electrical Properties of Ultrathin SiO2 Layer Deposited at 50 degrees C by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GIOVANNI MANNINO (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• Rosa Ruggeri (Persona)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)

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• Applied physics express (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Electrical Properties of Ultrathin SiO2 Layer Deposited at 50 degrees C by Inductively Coupled Plasma-Enahnced Chemical Vapor Deposition" (Insieme di parole chiave)