Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1063/1.2135213 (literal)

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• G. Biasiol (1); S. Heun (1); G. B. Golinelli (2); A. Locatelli (3); T. O. Mentes (3); F. Z. Guo (4); C. Hofer (5); C. Teichert (5); L. Sorba (6); (2005)
  Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots
  in Applied physics letters; American Institute of Physics, Woodbury [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• G. Biasiol (1); S. Heun (1); G. B. Golinelli (2); A. Locatelli (3); T. O. Mentes (3); F. Z. Guo (4); C. Hofer (5); C. Teichert (5); L. Sorba (6); (literal)

Pagina inizio

• 223106 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v87/i22/p223106_s1 (literal)

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• 87 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 22 (literal)

Note

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• 1 Laboratorio Nazionale TASC INFM-CNR, I-34012 Trieste, Italy 2 Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia, I-41100 Modena, Italy 3 Sincrotrone Trieste S.c.p.a., I-34012 Trieste, Italy 4 JASRI/SPring-8, 1-1-1, Kouto, Mikazuki, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan 5 Institute of Physics, Montanuniversität Leoben--University of Leoben, A-8700 Leoben-Austria 6 Laboratorio Nazionale TASC INFM-CNR, I-34012 Trieste, Italy, and Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia, I-41100 Modena, Italy (literal)

Titolo

• Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots (literal)

Abstract

• With laterally resolved photoemission spectroscopy, we obtained In and Ga surface concentration maps of InAs/GaAs quantum dots. Our data demonstrate that the dot composition is neither pure InAs nor homogeneous InxGa1-xAs, but presents an In concentration increasing from the borders to the center of the dots. Besides, our observations suggest strong In segregation (x ~ 0.9) on the surface of the dots and of the surrounding wetting layer. Such segregation, well known for two-dimensional InAs/GaAs growth, had not been directly observed so far on the dots, and should be taken into account to model size and composition of GaAs-overgrown structures. (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)
• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Autore CNR

• STEFAN HEUN (Persona)
• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCIA SORBA (Unità di personale interno)
• STEFAN HEUN (Persona)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)

Prodotto

• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• American Institute of Physics (Editore)

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