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Influence of different V-grooved GaAs substrates on the geometrical shape of InGaAs/GaAs quantum wires (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Influence of different V-grooved GaAs substrates on the geometrical shape of InGaAs/GaAs quantum wires (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 1999-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0022-0248(98)00887-2 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- A. Passaseo a; M. Longo a; R. Rinaldi a; R. Cingolani a; M. Catalano b; A. Taurino b; L. Vasanelli b (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- a Unità INFM, Dipartimento di Scienza dei Materiali, via Arnesano, 73100 Lecce, Italy
b Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto IME-CNR, via Arnesano, 73100 Lecce, Italy (literal)
- Titolo
- Influence of different V-grooved GaAs substrates on the geometrical shape of InGaAs/GaAs quantum wires (literal)
- Abstract
- The structure of InGaAs/GaAs quantum wires (QWRs) grown on V-grooved GaAs substrates by low pressure
metalorganic vapor phase epitaxy was studied by conventional and high resolution transmission electron microscopy.
We show that, by growing the structure on grooves with (3 1 1)A-like and (1 1 1)A-like oriented facets, the quantum wire
proÞle can be changed from a constant thickness bent layer to a strongly tapered quantum wire of crescent shape. Highly
uniform arrays of vertically stacked wires with a narrow size distribution along the growth direction have been obtained
for both structures. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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