Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2012-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3684625 (literal)

Alternative label

• Roccaforte F.; Greco G.; Fiorenza P.; Raineri V.; Malandrino G.; Lo Nigro R. (2012)
  Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Roccaforte F.; Greco G.; Fiorenza P.; Raineri V.; Malandrino G.; Lo Nigro R. (literal)

Pagina inizio

• 063511 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. CNR, Ist Microelettron Microsistemi CNR IMM, I-95121 Catania, Italy 2. Univ Catania, Scuola Super Catania, I-95123 Catania, Italy 3. Univ Catania, Dipartimento Sci Chim, I-95125 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (literal)

Abstract

• This letter reports on epitaxial nickel oxide (NiO) films grown by metal-organic chemichal vapor deposition on AlGaN/GaN heterostructures. The grown material was epitaxial, free from voids and exhibited a permittivity of 11.7, close to bulk NiO. This approach is advantageous with respect other methods such as the thermal oxidation of Ni films due to a better reproducibility and film quality. A reduction of the leakage current in Schottky diodes with an interfacial NiO layer has been observed and described using the metal-insulator-semiconductor Schottky model. The results indicate that these films are promising as gate dielectric for AlGaN/GaN transistors technology. (literal)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE GRECO (Unità di personale esterno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)