Low-temperature growth of In-assisted silicon nanowires (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Low-temperature growth of In-assisted silicon nanowires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.009 (literal)

Alternative label

• Annalisa Convertino; Massimo Cuscunà; Giuseppe Nicotra; Corrado Spinella; Laura Felisari; Guglielmo Fortunato; Faustino Martelli; (2011)
  Low-temperature growth of In-assisted silicon nanowires
  in Journal of crystal growth
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Annalisa Convertino; Massimo Cuscunà; Giuseppe Nicotra; Corrado Spinella; Laura Felisari; Guglielmo Fortunato; Faustino Martelli; (literal)

Pagina inizio

• 10 (literal)

Pagina fine

• 16 (literal)

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• 335 (literal)

Rivista

• Journal of crystal growth (Rivista)

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• 6 (literal)

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• 1 (literal)

Note

• Scopus (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, I-00133 Rome, Italy CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, I-95121 Catania, Italy CNR, Lab TASC, Ist Officina Mat, I-34149 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Low-temperature growth of In-assisted silicon nanowires (literal)

Abstract

• Indium-assisted silicon nanowires have been grown by plasma enhanced chemical vapor deposition at temperatures down to 330 degrees C without plasma pre-treatment of the In films deposited on silicon substrates before the growth. Two families of wires have been observed: thin, tapered wires that show a metallic nanoparticle at their top, and thick, almost cylindrical wires that have no metallic nanoparticle at their final end. We suggest that the two types of NWs grow after different mechanisms. Moreover, we point out important growth features that are common with Au- and self-induced nanowires. (literal)

Prodotto di

• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANNALISA CONVERTINO (Unità di personale interno)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• LAURA FELISARI (Persona)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali nanostrutturati per celle fotovoltaiche e dispositivi su larga area (MD.P05.001.005) (Modulo)

Autore CNR di

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale esterno)
• ANNALISA CONVERTINO (Unità di personale interno)
• LAURA FELISARI (Persona)

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• Journal of crystal growth (Rivista)