In-N and N-N correlation in InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quasi-lattice-matched quantum wells: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• In-N and N-N correlation in InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quasi-lattice-matched quantum wells: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.72.075311 (literal)

Alternative label

• R. Duca; G. Ceballos; C. Nacci; D. Furlanetto; P. Finetti; S. Modesti; A. Cristofoli; G. Bais; M. Piccin; S. Rubini; F. Martelli; A. Franciosi (2005)
  In-N and N-N correlation in InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quasi-lattice-matched quantum wells: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• R. Duca; G. Ceballos; C. Nacci; D. Furlanetto; P. Finetti; S. Modesti; A. Cristofoli; G. Bais; M. Piccin; S. Rubini; F. Martelli; A. Franciosi (literal)

Pagina inizio

• 075311 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 72 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 6 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Laboratorio Nazionale TASC-INFM, Area Science Park, 34012 Trieste, Italy and Center of Excellence for Nanostructured Materials, University of Trieste, 34127 Trieste, Italy Dipartimento di Fisica, Università degli Studi di Trieste, 34127 Trieste, Italy Dipartimento di Fisica, Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia, 41100 Modena, Italy (literal)

Titolo

• In-N and N-N correlation in InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quasi-lattice-matched quantum wells: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study (literal)

Abstract

• The probability of finding In-N and N-N closely spaced pairs in InxGa1-xAs1-yNy /GaAs quasi-latticematched quantum wells (x=0.13, y=0.045) has been measured by cross-sectional scanning tunneling microscopy. The average number of In-N bonds is higher than expected for a random distribution in both as-grown and annealed samples, but lower than that predicted by current theoretical calculations. Our measurements show no N outdiffusion and little change in the spatial distribution of In atoms as a result of annealing. However, a remarkable decrease in the number of N-N nearest neighbors and associated localized states is observed in annealed quantum wells. (literal)

Autore CNR

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• SILVIO MODESTI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "In-N and N-N correlation in InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quasi-lattice-matched quantum wells: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Unità di personale esterno)
• SILVIO MODESTI (Unità di personale esterno)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "In-N and N-N correlation in InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quasi-lattice-matched quantum wells: A cross-sectional scanning tunneling microscopy study" (Insieme di parole chiave)