http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID173503
MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (Contributo in atti di convegno)
- Type
- Label
- MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (Contributo in atti di convegno) (literal)
- Anno
- 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
Lo Nigro R., Toro R., Malandrino G., Raineri V., Fragalà I.L. (2003)
MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation
in CVD XVI, Electrochemical Society, Parigi (Francia)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Lo Nigro R., Toro R., Malandrino G., Raineri V., Fragalà I.L. (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- IMM - Istituto per la microelettronica e microsistemi
Dipartimento Scienze chimiche, Università degli studi di Catania (literal)
- Titolo
- MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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