MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Lo Nigro R., Toro R., Malandrino G., Raineri V., Fragalà I.L. (2003)
    MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation
    in CVD XVI, Electrochemical Society, Parigi (Francia)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Lo Nigro R., Toro R., Malandrino G., Raineri V., Fragalà I.L. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • IMM - Istituto per la microelettronica e microsistemi Dipartimento Scienze chimiche, Università degli studi di Catania (literal)
Titolo
  • MOCVD growth of Pr2O3 high- k gate dielectric for silicon: synthesis and structural investigation (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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