Silicon nanocrystal nucleation as a function of the annealing temperature in SiOx films (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • Silicon nanocrystal nucleation as a function of the annealing temperature in SiOx films (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Daldosso N., Das G., Dalba G., Larcheri S., Grisenti R., Mariotto G., Pavesi L., Rocca F., Priolo F., Franzo' G., Irrera A., Miritello M., Pacifici D., Iacona F. (2003)
    Silicon nanocrystal nucleation as a function of the annealing temperature in SiOx films
    in Materials Research Society Symposium, San Francisco (USA), 21-24 Aprile 2003
    (literal)
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  • Daldosso N., Das G., Dalba G., Larcheri S., Grisenti R., Mariotto G., Pavesi L., Rocca F., Priolo F., Franzo' G., Irrera A., Miritello M., Pacifici D., Iacona F. (literal)
Pagina inizio
  • 45 (literal)
Pagina fine
  • 50 (literal)
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  • OPTOELECTRONICS OF GROUP-IV-BASED MATERIALS (literal)
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  • 770 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • in: Material Research Society - Symposium Proceedings Vol 770 \"Optoelectronics of Group-IV-Based Materials\", pp: 45-50 (literal)
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  • 6 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 INFM-Dipartimento di Fisica, Università di Trento, via Sommarive 14, I-38050 Povo (Trento) 2 CNR-IFN, Sezione \"CeFSA\" di Trento, I-38050 Povo (Trento), Italy 3 INFM-Dipartimento di Fisica, Università di Catania, Via S. Sofia 64, I-95123 Catania, Italy 4 CNR-IMM, Sezione di Catania, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy (literal)
Titolo
  • Silicon nanocrystal nucleation as a function of the annealing temperature in SiOx films (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
  • 1-55899-707-5 (literal)
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  • Gregorkiewicz, T; Elliman, RG; Fauchet, PM; Hutchby, JA (literal)
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  • Gregorkiewicz, T; Elliman, RG; Fauchet, PM; Hutchby, JA (literal)
Abstract
  • Si nanocrystals (Si-nc) embedded in amorphous silica matrix have been obtained by thermal annealing of substoichiomettic SiOx films, deposited by PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) technique with different amount of Si concentrations (42 and 46 at.%). Both nucleation and evolution of Si-nc together with the changes of the amorphous matrix have been studied as a function of the annealing temperature. The comparison of x-ray absorption measurements in Total Electron Yield (TEY) mode at the Si k-edge with photoluminescence (PL), FTIR and Raman spectra, allowed clarifying the processes of Si-nc formation and structural evolution as a function of the annealing temperature and Si content. (literal)
Prodotto di
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