Solid state charge trapping\": Examples of polymer systems showing memory (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Solid state charge trapping\": Examples of polymer systems showing memory (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/j.jelechem.2007.02.007 (literal)
Alternative label
  • Casalbore-Miceli, G., Camaioni, N., Geri, A., Ridolfi, G., Zanelli, A., Gallazzi, M.C., Maggini, M., Benicori, T. (2007)
    Solid state charge trapping": Examples of polymer systems showing memory
    in Journal of electroanalytical chemistry (1959); ELSEVIER SCIENCE SA LAUSANNE, PO BOX 564, 1001 LAUSANNE 1 (Svizzera)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Casalbore-Miceli, G., Camaioni, N., Geri, A., Ridolfi, G., Zanelli, A., Gallazzi, M.C., Maggini, M., Benicori, T. (literal)
Pagina inizio
  • 227 (literal)
Pagina fine
  • 234 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 603 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
  • 2 (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • M.C. Gallazzi, Politecnico di Milano M. Maggini, Università di padova T. Benincori, Università dell'Insubria (literal)
Titolo
  • Solid state charge trapping\": Examples of polymer systems showing memory (literal)
Abstract
  • The paper reports on a characteristic property of electroactive materials bearing an electron-rich and an electron-poor moiety, known as charge trapping. As examples of materials that exhibit this phenomenon, films of poly(4,4 ''-dipentoxy-4 '-(2,2 '-dicyano)ethenyl-2,2 ':5 ',2 ''-terthiophene), poly(2,3-dihexylthieno[3,4-b]pyrazine) and a blend between a fulleropyrrolidine derivative and poly(3-hexylthiophene) were investigated by cyclic voltammetry, spectroelectrochemistry and electrochemical quartz crystal microbalance. In the cyclic voltammetry, the reduction processes show the reverse oxidation potential about 1 V higher than the expected value, indicating a strong stabilization of the corresponding anion species. The mechanism leading to the stabilisation of the anions is discussed and the results indicate that the investigated materials exhibit a remarkable and quite stable memory effect. (literal)
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