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Messa a punto di un processo di realizzazione di transistor a film sottile di silicio policristallino su substrati plastici (polyimide). (Risultati di valorizzazione applicativa)
- Type
- Label
- Messa a punto di un processo di realizzazione di transistor a film sottile di silicio policristallino su substrati plastici (polyimide). (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)
- Anno
- 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
A.Pecora, L. Mariucci, M. Cuscunà, A. Minotti, L. Maiolo, G. Fortunato (2007)
Messa a punto di un processo di realizzazione di transistor a film sottile di silicio policristallino su substrati plastici (polyimide).
(literal)
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- A.Pecora, L. Mariucci, M. Cuscunà, A. Minotti, L. Maiolo, G. Fortunato (literal)
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- Il processo di realizzazione di TFT a silicio policristallino su substrato plastico è stato sviluppato nell'ambito del laboratorio pubblico-privato PLAST_IC, coordinato da ST-Microelectronics. Tale processo risulta di notevole interesse industriale ed è previsto un trasferimento tecnologico a ST. (literal)
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- IMM-CNR sede di Roma (literal)
- Titolo
- Messa a punto di un processo di realizzazione di transistor a film sottile di silicio policristallino su substrati plastici (polyimide). (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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